功耗和功率的區(qū)別 有哪些區(qū)別

功耗和功率的區(qū)別：功耗就是功率的損耗，指設(shè)備、器件等輸入功率和輸出功率的差額。有時(shí)也指整機(jī)或設(shè)備所需的電源功率。功耗=輸入功率-輸出功率；指整機(jī)所需電源功率時(shí)，功耗=輸入功率。也就是說(shuō)，指耗損時(shí)，功耗為整個(gè)設(shè)備消耗的功率減去設(shè)備輸出功率。

功耗和功率的區(qū)別

功耗就是功率的損耗，指設(shè)備、器件等輸入功率和輸出功率的差額。有時(shí)也指整機(jī)或設(shè)備所需的電源功率。

功耗=輸入功率-輸出功率；指整機(jī)所需電源功率時(shí)，功耗=輸入功率。也就是說(shuō)，指耗損時(shí)，功耗為整個(gè)設(shè)備消耗的功率減去設(shè)備輸出功率。指消耗時(shí)就是整機(jī)消耗的功率。它的單位還是瓦特，不是能的單位。

功耗的定義是什么？

功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。當(dāng)安裝無(wú)窮大散熱片時(shí)，定義了通道（ch）與外殼（c）或通道（ch）與環(huán)境空氣（a）之間的功耗。

當(dāng)散熱片鏈接到MOSFET時(shí)，根據(jù)以下各項(xiàng)的總和計(jì)算出功耗：1）通道與外殼之間的熱阻（內(nèi)部熱阻）；2）絕緣體的熱阻；3）接觸熱阻；及4）散熱片的熱阻。對(duì)于封裝在貼片式封裝中的MOSFET，如果安裝在板上，則有指定的功耗。關(guān)于板的尺寸，詳見(jiàn)單獨(dú)的技術(shù)數(shù)據(jù)表。

允許的功耗隨使用MOSFET的條件（例如，環(huán)境溫度和散熱條件）相應(yīng)變化。實(shí)際上，在最終應(yīng)用環(huán)境中應(yīng)根據(jù)通道至環(huán)境的熱阻來(lái)計(jì)算功耗。

功耗指功率的損耗。一般分兩種：來(lái)自開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)功耗和來(lái)自漏電的靜態(tài)功耗。功耗同樣是所有的電器設(shè)備都有的一個(gè)指標(biāo)，指的是在單位時(shí)間中所消耗的能源的數(shù)量，單位為W。功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時(shí)間越短，功率值就越大。